《机械原理》，主编，2015年，高等教育出版社。 Adding Sub-chain Method for Structural Synthesis of Planar Closed Kinematic Chains，排名：第一，发表刊物：CHINESE JOURNAL OF MECHANICAL ENGINEERING，2012年。

闩锁效应（Latch up）是CMOS电路中因寄生PNPN结构触发低压大电流状态的现象，其原理、产生条件及预防措施如下：闩锁效应的原理寄生PNPN结构形成CMOS电路中PMOS和NMOS互补使用，形成P+/Nwell/Psub/N+的PNPN结构，等效于两个寄生三极管（PNP和NPN）共用集电极。

Latch-up是指体CMOS集成电路中所固有的寄生双极晶体管（BJT）在一定的条件下被触发而形成低阻通路，产生大电流，并且由于正反馈电路的存在而形成闩锁，导致CMOS集成电路无法正常工作，甚至烧毁芯片。闩锁效应的产生原理闩锁效应是由NMOS的有源区、P衬底、N阱、PMOS的有源区构成的n-p-n-p结构产生的。

Latch-up，即闩锁效应，是CMOS集成电路中一种严重的失效机制。

此外，尽可能让Substrate contact和well contact靠近源极，进一步减小电阻，增强防护。内部MOS管与I/O相连处，也应增设Guard ring，对于I/O使用PMOS（N阱）需谨慎，以免触发闩锁效应。

闩锁效应是CMOS技术中的一个关键问题，发生在NMOS和PMOS之间的特殊电路回路中。以下是关于闩锁效应的详细解释：定义：闩锁效应是由两个寄生双极型晶体管串联形成的正反馈回路。每个晶体管的基极和集电极相连，当满足一定条件时，这个回路会被激活，导致电流失控。原理：闩锁效应的原理基于晶体管的工作方式。

1、原边MOS管开通电流环路当反激式开关电源的原边MOS管开通时，电流从输入电源（通常为大电解电容）的正极出发，经过MOS管的源极（S极）和漏极（D极），流入变压器的原边线圈。电流在变压器中完成储能过程，随后从变压器的副边线圈输出，经过整流二极管和滤波电路，为负载提供稳定的直流电源。

2、Fly back开关电源，又称反激式开关电源或单端反激式转换器，是一种常用的电源转换方式。

3、反激式开关电源 结构特点：电路简单，容易控制，适用于5W-100W的小功率应用。