1、磁盘片上的磁涂层是由数量众多的、体积极为细小的磁颗粒组成，若干个磁颗粒组成一个记录单元来记录1比特（bit）信息，即0或1。磁盘片的每个磁盘面都相应有一个磁头。

2、若在磁头的写线圈中通过相反方向的脉冲电流，该磁化元则向相反方向磁化。如果某一个方向的脉冲电流将磁头下方硬磁盘的极小区域磁化为信息"；1"；的话（写入"；1"；），那么相反方向的脉冲电流就会将磁头下方硬磁盘的极小区域磁化为信息"；0"；（写入"；0"；）。

3、”。磁盘是计算机主要的存储介质，可以存储大量的二进制数据，并且断电后也能保持数据不丢失。早期计算机使用的磁盘是软磁盘，如今常用的磁盘是硬磁盘。光盘是以光信息做为存储的载体并用来存储数据的一种物品。分不可擦写光盘，如CD-ROM、DVD-ROM等；和可擦写光盘，如CD-RW、DVD-RAM等。

巨磁电阻（GMR）效应来自于载流电子的不同自旋状态与磁场的作用不同，因而导致 的电阻值的变化。GMR是一个量子力学效应，它是在层状的磁性薄膜结构中观察到的。这 种结构由铁磁材料和非磁材料薄层交替叠合而成。当铁磁层的磁矩相互平行时，载流子与自 旋有关的散射最小，材料有最小的电阻。

表现材料：在许多材料中都有表现，尤其是在半导体和磁性材料中更为显著。巨磁阻效应是一种特殊的磁电阻效应，指在强磁场作用下，某些材料的电阻会出现非常显著的变化。具体来说：产生原理：磁场可以引起电子自旋方向的改变，从而导致电阻的大幅变化。

巨磁阻效应是磁阻效应的一种，它出现在由磁性材料和非磁性材料交替构成的薄膜层中，这种薄膜层的厚度通常只有几纳米。在这种结构中，物质的电阻值取决于铁磁性材料薄膜的磁化方向；当两层磁性材料的磁化方向相反时，电阻值显著增加，且在外加磁场作用下，电阻值会经历大幅变化。

巨磁电阻效应是指对通电的金属或半导体施加磁场作用时会引起电阻值的变化。其全称是磁致电阻变化效应。巨磁阻是一种量子力学效应，它产生于层状的磁性薄膜结构。这种结构是由铁磁材料和非铁磁材料薄层交替叠合而成。当铁磁层的磁矩相互平行时，载流子与自旋有关的散射最小，材料有最小的电阻。

巨磁阻效应（Giant Magnetoresistance，GMR）是量子力学与凝聚态物理学领域内的一种独特现象，它属于磁阻效应的一种特殊表现形式。在特定的结构中，即磁性材料与非磁性材料仅以几个纳米的薄层间隔，这种现象变得显著。在这个复合材料中，其电阻值并非恒定，而是会受到内部磁性薄膜层磁化方向的直接影响。

1、也就是说，硬盘中的"；0"；和"；1"；，是用盘体上磁化元的不同磁化方向来表示的。

2、磁盘采用的是磁化的方式来存储二进制数字“0”和“1”的，磁化的话存储的是数字“1”，为磁化的话存储的是数字“0”。光盘采用的是“烧录”的方式存储二进制数字，烧录的地方存储的是数字“1”，未烧录的地方存储的数字“0”。

3、电压高低（如TTL电路中5V为“1”，0V为“0”）；电流有无（如光纤通信中光脉冲为“1”，无脉冲为“0”）；磁极方向（如硬盘存储中N极表示“1”，S极表示“0”）。这种规则利用物理元件的二元稳定性，使信息存储与传输具有抗干扰性强、运算规则简单的特点。

4、计算机存储单位以二进制为基础，最小单位为位（bit），基本单位为字节（Byte），各单位间按1024倍（2^10）的进制关系逐级递增。具体关系如下：基础单位与进制规则计算机存储的最小单位是位（bit），用于表示二进制数据的0或1。字节（Byte，简称B）是更常用的基本单位，1字节由8位构成（1B=8bit）。

5、这是由电子元件的特性所决定的。电脑里面采用二进制进行信息的存储或传输，这是因为电子元件具有“通”或“断”两种状态，可以用来表示0和1，用0和1组合出来的二进制数值就可以用来储存信息、进行运算了。